На выставке CEATEC японская компания TDK впервые продемонстрировала прототип новой микросхемы магниторезистивной памяти произвольного доступа с переносом спинового момента (STT-MRAM). Память STT-MRAM способна записывать и считывать данные с той же скоростью, что и современные микросхемы SRAM и DRAM, но в отличие от них является энергонезависимой и может сохранять записанные данные в течение многих лет, как флэш-память.

Магниторезистивная технология хранения данных (MRAM) известна давно, но в TDK работают над ее новым вариантом, основанным на эффекте переноса спинового момента (STT). При записи данных изменение ориентации магнитного поля в материале происходит под влиянием электрического тока, поляризованного по спину. Прототипная схема STT-MRAM, показанная TDK, записывает и считывает данные примерно в семь раз быстрее, чем флэш-память типа NOR. Принадлежащая TDK американская компания Headway Technologies изготовила опытный образец 8-дюймовой пластины микросхем MRAM. Однако она не располагает мощностями для массового выпуска таких микросхем.

В TDK считают, что полномасштабное коммерческое применение STT-MRAM возможно лет через десять. Небольшими партиями STT-MRAM выпускает сейчас американская компания Everspin Technologies.

TDK демонстрирует прототип магниторезистивной памяти с переносом спинового момента
Источник: TDK

 

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF