Группа исследователей из Университета Флориды сделала достижение в области «спинтроники» — такое название получило направление прикладной физики, использующее спин-зависимые эффекты в полупроводниках. Ученые создали магнитный полупроводник из материалов, традиционно применяемых в производстве микроэлектроники. На основе магнитных полупроводников можно будет создать микросхемы нового типа, реализующие одновременно функции памяти и обработки информации. К числу достоинств «магниторезистивной памяти» (M-RAM) на основе магнитных полупроводников относятся высокое быстродействие, малое энергопотребление и энергонезависимость: такая память сохраняет данные при выключении компьютера, позволяя не загружать его каждый раз при включении с жесткого диска. Созданию спинтронных процессоров препятствовало то, что явление полупроводникового магнетизма наблюдалось лишь при температурах в сотни градусов ниже нуля. Не так давно температуру удалось повысить до комнатной, однако использование технологии в коммерческих целях представлялось затруднительным, так как задействованные полупроводниковые материалы в микроэлектронном производстве никогда не применялись. Исследователи из Флориды сумели изготовить магнитный полупроводник из фосфида галлия с примесью марганца — материала, широко применяемого в полупроводниковом производстве. Явление магнетизма наблюдалось при температуре выше комнатной. В дальнейшем исследователи рассчитывают научиться манипулировать спином индивидуальных электронов, что позволило бы приблизить создание квантовых компьютеров, в тысячи раз более быстрых, чем современные.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями