Ученые из МФТИ впервые получили материал, который может стать основой для элементов энергонезависимой памяти на сегнетоэлектрических туннельных переходах. Они впервые вырастили сверхтонкие (2,5 нм), сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния. Сегнетоэлектрик — вещество, способное «запоминать» направление приложенного внешнего электрического поля. Запись информации в памяти на основе сегнетоэлектрических пленок производится подачей напряжения на электроды, а считывание — измерением туннельного тока. Такая память может обладать исключительно высокой плотностью, скоростью записи и считывания, а также низким энергопотреблением.

Купить номер с этой статьей в PDF