Компания Crossbar анонсировала новый тип памяти — RRAM (Resistive Random-Access Memory), который со временем может прийти на смену флэш-памяти и оперативной памяти DRAM. В Crossbar утверждают, что, по сравнению с флэш-памятью NAND, RRAM обеспечивает 20-кратное увеличение скорости записи, 20-кратное сокращение энергопотребления и 10-кратный рост срока службы. Микросхемы памяти размещаются друг над другом, и модуль емкостью 1 Тбайт занимает примерно половину площади модуля флэш-памяти NAND того же объема. Работа памяти RRAM отличается от функционирования флэш-памяти NAND и оперативной памяти. В отличие от NAND, в технологии Crossbar не используются транзисторы. Здесь применяется многоуровневый подход к хранению данных. Ячейка памяти RRAM имеет три уровня и коммутатор в середине, определяющий, хранится ли в ячейке ноль или единица. На верхнем уровне расположен металлический, а на нижнем — неметаллический электрод. При подаче высокого напряжения внутри диэлектрика формируются проводящие нити с низким сопротивлением. Ионы металла верхнего уровня поступают в коммутирующую среду и на нижний уровень. При приложении отрицательного заряда нити разрываются, и между электродами возникает непроводящий зазор, в результате состояние ячейки памяти меняется.

 

RRAM вместо DRAM и флэш-памяти
Источник: Crossbar

 

Память RRAM использует имеющиеся материалы и может выпускаться на уже существующих производственных мощностях. Прототипы были изготовлены на заводах компании TSMC. Поскольку память не содержит транзисторов, в условиях дальнейшей миниатюризации микросхем с ее производством будет меньше проблем. По мере совершенствования производственных технологий выпускать микросхемы NAND и DRAM становится все сложнее. Когда предел масштабируемости будет достигнут, технологии наподобие Crossbar RRAM быстро отвоюют рыночную долю у известных игроков.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF