Ученые компании Hewlett-Packard сделали серьезный шаг вперед в разработке энергонезависимой памяти следующего поколения – мемристорной, которая считается потенциальной заменой нынешним технологиям флэш-памяти и DRAM. Мемристор – элемент, способный при протекании через него тока изменять свое сопротивление и в дальнейшем сохранять его. Работоспособный мемристор был впервые создан в лабораториях HP в 2008 году, однако ученые не понимали полностью процессов, протекающих в микроструктурах этого элемента и приводящих к переключению его сопротивления. Исследователям из HP удалось с помощью высокофокусированных рентгеновских лучей обнаружить канал шириной всего 100 нм, в котором и происходит переключение. Затем они выяснили химический состав и структуру этого канала и таким образом получили сведения о принципах действия мемристора. Память на мемристорах в HP называют ReRAM. По прогнозу специалистов компании, коммерчески доступная мемристорная память может появиться к середине 2013 года. В HP уже созданы образцы памяти, обладающе плотностью 12 Гбайт на кв. см. Они выполнены по 15-нанометровому технологическому процессу и имеют многоуровневую конструкцию, состоящую из нескольких слоев ячеек.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF