Исследование, проведенное в Национальном институте стандартов и технологий США, принесло результат в виде оптимальных характеристик для компьютерной памяти нового типа, разрабатываемой сейчас в ряде научных коллективов. Такая память будет основана на кремниевых проволоках примерно по 20 нм в диаметре. Каждая проволока «обернута» в несколько тонких слоев диэлектрика, которые хранят электрический заряд. Ученые NIST рассчитали наилучшее расположение этих слоев, обеспечивающее ячейкам нанопроволочной памяти наилучшие характеристики. Память на кремниевых нанопроволоках потенциально способна сохранять информацию быстрее и при меньших энергозатратах, чем существующие типы памяти. Кроме того, по оценкам специалистов NIST, у новой технологии есть преимущество перед флэш-памятью, которую из-за ее недостаточного быстродействия нельзя применять в качестве встроенного кэша процессоров, тогда как нанопроволочную – можно.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF