Как подчеркивают инженеры, в результате усовершенствования площадь чипов осталась прежней, но толщина выросла, совсем как на Манхэттене: когда место закончилось, там стали строить небоскребы.

Топ-менеджеры Intel и Micron подчеркивают, что многоярусная компоновка NAND позволит не только существенно увеличить емкость, но и снизить стоимость. Новая технология изготовления 3D-памяти NAND позволяет размещать ячейки друг над другом в 32 слоя. Емкость выполненного в стандартном корпусе чипа с многоуровневыми ячейками (хранящими по 2 бит в расчете на транзистор — Multi-Level Cell, MLC) составит 256 Гбит, а с трехуровневыми (3 бит на транзистор — Triple-Level Cell, TLC) — 384 Гбит.

Емкость накопителей, выполненных на таких микросхемах, будет втрое больше, чем у нынешних. Стандартный SATA-накопитель в формфакторе 2,5 дюйма будет вмещать до 10 Тбайт, а емкость накопителей M.2, используемых в большинстве ноутбуков, вырастет до 3,5 Гбайт.

«Технология 3D NAND способна спровоцировать тектонические сдвиги на рынке, — полагает Брайан Шерли, вице-президент по технологиям памяти и решениям Micron Technology. — Влияние, которое флеш-память сегодня оказала на целый ряд сегментов рынка, от смартфонов до суперкомпьютеров, это лишь верхушка айсберга возможностей».

Пробные партии новых микросхем уже выпускаются, и в Intel рассчитывают предложить продукты с 3D-памятью на продажу во второй половине года. Информацию о количестве циклов записи/стирания, выдерживаемых новыми чипами, разработчики не сообщают.

SSD оказали огромное влияние на мир ИТ, однако, несмотря на падение цен, по емкости они все еще отстают от традиционных жестких дисков. Но с переходом твердотельных накопителей на трехмерную память NAND они смогут превзойти винчестеры — по крайней мере, по емкости.