Такие модули памяти являются уникальным предложением, так как компания Qimonda обладает собственным полным циклом производства

Как заявил Олаф Шоенфельд, директор по маркетингу компании Qimonda Europe, сейчас владельцы крупных вычислительных центров во всем мире главной проблемой считают высокое потребление энергии эксплуатируемым оборудованием и системами кондиционирования. А энергопотребление серверной памяти обычно занимает второе место в серверах (после процессоров). Недавний сравнительный анализ модулей памяти и их доли в общем потреблении электроэнергии ВЦ (а она может достигать 25% и, как предполагается, к концу этого года увеличится еще в полтора раза) показал, что расходы на электроэнергию в вычислительных центрах можно значительно сократить за счет использования памяти DRAM с низким энергопотреблением. Применение таких модулей памяти позволит существенно снизить расходы на электроэнергию, во-первых, непосредственно, благодаря сокращению потребности в электроэнергии в серверных системах, и во-вторых, опосредованно, поскольку эти продукты выделяют меньшее количество тепла. Соответствующие тесты подтверждают, что уровень потребления электроэнергии у полностью буферизованной памяти DIMM Qimonda (FBDIMM) на 30% ниже, чем у обычных модулей. А общий экономический эффект от использования таких модулей может достигать 75%.

В этой связи Qimonda сосредоточила свои усилия на разработке компонентов модулей памяти с низким энергопотреблением. Например, сегодня компания предлагает модули памяти DDR2, которые работают при напряжении 1,5 В, что на 17% ниже ныне существующих стандартов 1,8 В, без снижения производительности. Благодаря технологиям Qimonda каждая единица информации для каждой ячейки хранится в конденсаторе, который выполнен в виде канавки в подложке под селекторным транзистором. Таким образом, ячейка может работать при очень низком напряжении, что способствует сокращению энергопотребления. Исследования также показали, что стандартные модули DRAM Qimonda меньше подвержены помехам, вызываемым внешним излучением, что является преимуществом для таких областей, как производство аэрокосмической техники, и для предприятий энергоснабжения.

Эти решения подходят для использования в температурном диапазоне от –40 градусов до +85 градусов Цельсия. Продуктовая линейка компании также включает в себя небуферизованные модули памяти, память с контролем ошибок, Micro-DIMM и VLP (Very Low Profile) DIMM, регистровые и полностью буферизованные FB-DIMM объемом от 512 Мбайт до 8 Гбайт. Эти модули памяти стандартов DDR и DDR2 выпускаются в форматах 1U, VLP (Very Low Profile, очень низкого профиля) и SO-DIMM.

В отличие от обычных регистровых модулей, которые работают с параллельной архитектурой, полностью буферизованные FB-DIMM предполагают последовательное прямое соединение "точка-точка" между источником и приемником информации, что позволяет преодолеть узкое место, ограничивающее производительность и пропускную способность быстрой многоуровневой серверной памяти. Передачу данных в FB-DIMM контролирует оригинальная микросхема Qimonda AMB (усовершенствованный буфер памяти), которая представляет собой логическую интегральную схему, управляющую непосредственным двухточечным соединением. Она обеспечивает скорость передачи данных до 4,8 Гбит/с и прямое соединение для модулей DDR2 DRAM, которые в свою очередь обеспечивают скорость передачи данных до 800 Мбайт/с.

Также Qimonda выпускает компактные модульные решения благодаря использованию технологии сдвоенных кристаллов для DDR2 регистровых DIMM. По этой технологии две идентичные интегральные схемы располагаются одна над другой в едином корпусе BGA (Ball Grid Array). Это увеличивает высоту микросхемы со сдвоенным кристаллом всего на 0,1 мм. Таким образом, в отличие от обычных технологий упаковки микросхем, согласно которым каждая из двух интегральных схем помещается в отдельный корпус, технология сдвоенного кристалла повышает плотность хранения информации, оставляя практически без изменений размеры корпуса. Например, 4-гигабайтные регистровые модули DDR2 Qimonda DIMM при толщине 4,1 мм и стандартной высоте 30 мм примерно на 40% тоньше, чем другие аналогичные решения. Кроме того, за счет применения более тонких модулей улучшаются циркуляция воздуха и тепловые условия в серверах.

Что касается планов на будущее, то Qimonda рассчитывает начать серийный выпуск памяти по 46-нанометровой технологии Buried Wordline DRAM во второй половине 2009 года. Переход к нормам 46 нм (ячейки размером 6F2) позволит более чем вдвое увеличить плотность хранения по сравнению с обычной 58-нанометровой технологией и ячейками размером 8F2. Компания намерена также инвестировать примерно 100 млн евро в течение 2009-го и 2010 финансовых годов, чтобы перевести все имеющиеся производственные мощности на технологию Buried Wordline. На следующем этапе производство будет переведено на нормы 30 нм. Соответствующие компоненты памяти будут иметь размер ячейки 4F2.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями