Фото: IBM

 Компания нашла относительно недорогой способ объединения на одной кремниевой пластине электрических и оптических компонентов. В перспективе это позволит чипам взаимодействовать друг с другом при помощи световых импульсов, а не электрических сигналов, как сейчас. В результате становится возможным резкое увеличение пропускной способности каналов связи. Технология CMOS Integrated Silicon Nanophotonics — интегрированная кремниевая нанофотоника на базе КМОП. Основывается на стандартной методике изготовления микросхем на КМОП-структурах и позволяет формировать на кремниевой пластине такие элементы, как модуляторы, германиевые фотодетекторы и мультиплексоры с разделением по длине волны. Технология обеспечивает возможность получения одночиповых трансиверов размером 4 × 4 мм, способных обрабатывать данные со скоростью свыше терабита в секунду. По словам IBM, достижение позволит создать вычислительный комплекс с экзафлопсной производительностью к 2020 году.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями