в переносе шаблона схемы на кремниевую основу при помощи процесса, напоминающего горячую штамповку. Используя фотолитографию, ученые изготовили шаблон из кварца и приложили к кремниевой основе будущей микросхемы. После кратковременного облучения эксимерным лазером сквозь прозрачный кварц поверхность кремния расплавилась и приняла форму шаблона. Особенность эксимерного лазера в том, что он позволяет нагревать лишь тонкий поверхностный слой материала, не нарушая его внутренней структуры. Таким способом ученым удалось сформировать на кристалле кремния простейшие элементы микросхемы с топологическим размером 10 нм. Метод позволяет отказаться от дорогостоящего и отнимающего много времени процесса литографии при изготовлении микросхем. Перенос схемы с фотошаблона на каждую микросхему литографическим способом занимает по 10-20 минут, тогда как новый метод позволяет сформировать кристалл за долю секунды.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями