Достижение IBM стало возможным благодаря применению кремний-германиевой основы и изменению конструкции транзистора. Ток в нем протекает не горизонтально, как в обычных транзисторах, а вертикально, что уменьшает размеры элемента и, соответственно, сокращает расстояние, проходимое током.

Служба новостей IDG, Лондон

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями