Она требует гораздо меньше электроэнергии, чем DRAM и SRAM, и сохраняет информацию даже при отключении питания. Кроме того, FeRAM отличается высокой компактностью. Разработчики рассчитывают, что 32-мегабитную микросхему для мобильных телефонов удастся выпустить к концу 2002 года. При благоприятных рыночных условиях компании впоследствии выпустят 64- и 128-мегабитные модули. Расходы на разработку, в сумме оцениваемые в 60 млн. долл., Infineon и Toshiba будут нести поровну. Сотрудники компаний имеют длительный опыт сотрудничества в области технологий памяти. На днях Infineon и IBM объявили о том, что они работают над созданием магнитной памяти (MRAM -- Magnetic RAM), которая, как и FeRAM, сохраняет данные в выключенном состоянии. На нынешнем этапе разработки FeRAM работает быстрее MRAM, однако последняя обладает большей емкостью. В коммерческих продуктах MRAM появится позже FeRAM - к 2004 году.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями