В Майнцском университете (Германия) нашли способ значительно снизить затраты энергии на запись данных на магнитные носители. В традиционной технологии для записи данных через многослойную ферромагнитную структуру пропускается электрический ток, создающий магнитное поле, под действием которого материал меняет направление намагничения. 

Если же добавить в структуру слой тяжелого металла (например, платины), электроны будут переходить из ферромагнитного слоя в слой платины и обратно, благодаря чему необходимая сила тока будет меньше на несколько порядков.

Теперь исследователи смогли еще больше повысить эффективность этого процесса, добавив к структуре пьезоэлектрический слой. Электрическое поле, приложенное к пьезоэлектрическому кристаллу, вызывает его деформацию, что облегчает смену направления намагничения прикрепленного к нему ферромагнитного слоя. Можно даже приложить поле к отдельному участку кристалла, и тогда эффективность намагничения повысится только на этом участке. Таким образом можно реализовать многоуровневые схемы памяти, полагают исследователи.