Скорость считывания данных из созданной в IM Flash 8-гигабитной флэш-микросхемы на одноуровневых ячейках достигает 200 Мбайт/с, скорость записи - 100 Мбайт/с. Для сравнения, соответствующие показатели для обычных микросхем НЕ-И, выпускаемых Micron и другими, - 40 и 20 Мбайт/c. Ускорение стало возможным благодаря изменениям, внесенным в архитектуру НЕ-И, которые позволили обойти традиционные узкие места подобных микросхем. Новая архитектура отвечает спецификации ONFI (Open NAND Flash Interface) 2.0, разработанной альянсом компаний ONFI Working Group, в состав которого кроме Micron входят Hynix Semiconductor, Intel, Phison Electronics, Sony и STMicroelectronics. Серийное производство флэш-памяти нового типа планируется начать во второй половине этого года.