На заводе компании SanDisk в Еккаити (Япония) начато пилотное производство 48-слойных объемных микросхем флеш-памяти NAND с тремя битами на ячейку. Емкость этих микросхем в два раза превышает емкость ближайших конкурентов по плотности записи и составляет 256 Гбит. Новые микросхемы построены по разработанной в Toshiba технологии BiCS, позволяющей разместить элементы микросхемы друг над другом в несколько слоев. Такие микросхемы называют «объемными» (3D). Более того, каждая ячейка памяти вместо одного или двух битов данных, как в предыдущих моделях микросхем памяти, может хранить три. На основе микросхем 3D NAND можно будет делать схемы флеш-памяти для смартфонов и планшетов с емкостью до терабайта.

Купить номер с этой статьей в PDF