Реклама
Многоярусная компоновка NAND обещает не только существенно увеличить емкость, но и снизить стоимость хранения

Емкость стандартных потребительских твердотельных накопителей вырастет до впечатляющей отметки в 10 Тбайт благодаря новому виду пространственной флеш-памяти NAND, созданной специалистами Intel и Micron, которые давно сотрудничают в этой области.

Как подчеркивают инженеры, в результате усовершенствования площадь чипов осталась прежней, но толщина выросла, совсем как на Манхэттене: когда место закончилось, там стали строить небоскребы.

Топ-менеджеры Intel и Micron подчеркивают, что многоярусная компоновка NAND позволит не только существенно увеличить емкость, но и снизить стоимость. Новая технология изготовления 3D-памяти NAND позволяет размещать ячейки друг над другом в 32 слоя. Емкость выполненного в стандартном корпусе чипа с многоуровневыми ячейками (хранящими по 2 бит в расчете на транзистор — Multi-Level Cell, MLC) составит 256 Гбит, а с трехуровневыми (3 бит на транзистор — Triple-Level Cell, TLC) — 384 Гбит.

Емкость накопителей, выполненных на таких микросхемах, будет втрое больше, чем у нынешних. Стандартный SATA-накопитель в формфакторе 2,5 дюйма будет вмещать до 10 Тбайт, а емкость накопителей M.2, используемых в большинстве ноутбуков, вырастет до 3,5 Гбайт.

«Технология 3D NAND способна спровоцировать тектонические сдвиги на рынке, — полагает Брайан Шерли, вице-президент по технологиям памяти и решениям Micron Technology. — Влияние, которое флеш-память сегодня оказала на целый ряд сегментов рынка, от смартфонов до суперкомпьютеров, это лишь верхушка айсберга возможностей».

Пробные партии новых микросхем уже выпускаются, и в Intel рассчитывают предложить продукты с 3D-памятью на продажу во второй половине года. Информацию о количестве циклов записи/стирания, выдерживаемых новыми чипами, разработчики не сообщают.

SSD оказали огромное влияние на мир ИТ, однако, несмотря на падение цен, по емкости они все еще отстают от традиционных жестких дисков. Но с переходом твердотельных накопителей на трехмерную память NAND они смогут превзойти винчестеры — по крайней мере, по емкости.

Новейшая разновидность флеш-памяти NAND, позволяющая хранить 3 бит данных в каждой ячейке, быстро завоевывает лидирующие позиции в мобильных устройствах и портативных компьютерах.

Согласно отчету, который был опубликован компанией DRAMeXchange, в четвертом квартале текущего года на память TLC придется почти половина общего количества выпускаемой флеш-памяти NAND. Ранее на этом рынке господствовала флеш-память MLC.

С появлением памяти TLC NAND, превосходящей MLC по плотности размещения данных, сфера применения флеш-технологий от карт памяти и USB-накопителей начала смещаться в сторону хранилищ повышенной емкости, применяемых в мобильных устройствах и портативных компьютерах. Наиболее многообещающей областью применения TLC считаются карты eMMC (Embedded MultiMediaCard) и твердотельные накопители SSD. Многие производители флеш-памяти в этом году активно наращивают выпуск своей продукции eMMC и SSD.

«Темпы роста выпуска памяти TLC NAND будут увеличиваться и в дальнейшем», — прогнозируют аналитики DRAMeXchange.

«Начиная с 2013 года Samsung активно внедряет технологии TLC в устройства eMMC/eCMP и твердотельные накопители клиентского класса, — отметил вице-президент DRAMeXchange Шон Янь. — А после того как рыночная ниша Samsung стала быстро расширяться, конкурентам компании также пришлось в срочном порядке заняться разработкой встроенных продуктов на базе TLC».

Купить номер с этой статьей в PDF