Объявив в ноябре прошлого года о создании совместно с Micron Technology венчурной производственной компании IM Flash Technologies, в Intel еще раз подтвердили серьезность своих амбиций на рынке флэш-памяти, но одновременно, по сути, признали ошибочность прежней стратегии на этом рынке, в которой микросхемам типа NAND места не находилось вообще.
«Мы считаем архитектуру NOR более совершенной с технической точки зрения и, как следствие, более перспективной», — говорил в 2004 году в ходе весеннего форума IDF директор подразделения Intel Flash Products Group Ник ван Девентер, объясняя, почему в Intel по-прежнему не намерены выпускать микросхемы NAND. Собственно говоря, на заводах Intel и сейчас выпускается только флэш-память типа NOR, но теперь корпорация позицинирует себя уже и как поставщика микросхем NAND, что существенно отличает сегодняшнее положение дел от ситуации двухгодичной давности.
Как отметил в ходе нынешнего весеннего IDF директор по технологиям Flash Products Group Эдвард Доллер, недавно стартовавшие NAND-поставки Intel пока по-прежнему дер?жатся на контракте с Apple, о котором также было объявлено в ноябре 2005 года. По его словам, в ближайшем будущем в инвестиционном портфеле Intel направление флэш-памяти NAND будет в основном представлено проектами, связанными с расширением производственных мощностей IM Flash Technologies. К производственным мощностям в Бойзе (шт. Айдахо), арендованным у Micron, позже в этом году на тех же условиях добавится предприятие в Манассасе (шт. Вирджиния), известное тем, что неоднократно меняло владельцев (нынешним также является Micron). В следующем году у IM Flash появится и первый собственный завод — в Лехи (шт. Юта).
Для производства микросхем NOR у Intel уже задействованы три фабрики. Одна из них находится в Санта-Кларе в непосредственном соседстве со штаб-квартирой корпорации, вторая — в Нью-Мексико, третья — в Ирландии. В ближайшее время к ним добавится и четвертое предприятие — в Израиле. Кроме того, во втором полугодии, по словам Доллера, в Intel намерены внедрить техпроцесс 65 нм при изготовлении микросхем NOR (в планах IM Flash значится освоение технологии 72 нм), а переход на техпроцесс 45 нм намечен на 2008 год.
Возможно, в Intel и продолжают считать NOR более прогрессивной архитектурой по сравнению с NAND (во всяком случае в своих публичных выступления представители корпорации всячески стараются избегать переоценки ценностей, но при этом не устают подчеркивать, что NOR лучше отвечает потребностям таких устройств, как, например, мобильные телефоны), но отраслевые реалии таковы, что их просто невозможно игнорировать.
Даже технология Robson, которую в Санта-Кларе позицинируют как средство ускорения начальной загрузки системы и запуска приложений, в своей дебютной реализации для мобильной платформы Santa Rosa предполагает использование в качестве энергонезависимого буфера микросхем NAND, а вовсе не NOR. И это несмотря на то, что скорость считывания выше именно у NOR.
В 2004 году, согласно годовому финансовому отчету Intel, на долю флэш-памяти пришлось около 7% чистого консолидированного оборота всей корпорации в целом, причем флэш-память была названа одним из катализаторов общего роста оборота Intel. Данные за 2005 год Доллером приведены не были. Косвенно это лишь подтверждает, что позиция Intel в отношении NAND изменилась под давлением обстоятельств.