Данное вещество меняет фазовое состояние в электрическом поле напряженностью всего 14 В/мкм. Фазовый переход в памяти нового типа занимает в 100-200 раз меньше времени, чем требуется на программирование ячейки флэш-памяти.
В исследовательском подразделении Philips Electronics разработан новый тип энергонезависимой памяти. Ее ячейки выполнены из вещества, способного в электрическом поле изменять фазовое состояние и сохранять его при отключении тока. Новая память Philips использует смесь иридия с сурьмой.
Данное вещество меняет фазовое состояние в электрическом поле напряженностью всего 14 В/мкм. Фазовый переход в памяти нового типа занимает в 100-200 раз меньше времени, чем требуется на программирование ячейки флэш-памяти.