Micron Technology

Новая память, как утверждают в Intel и Micron, на порядок плотнее, чем DRAM, и является энергонезависимой, но работать может в тысячу раз быстрее, чем флеш-память.

Революционная технология памяти, анонсированная компаниями Intel и Micron, обещает стать огромным шагом вперед в организации хранения.

В Tsinghua Unigroup якобы готовы выложить 23 млрд долл. Американская компания отрицает получение предложения о сделке.

В Toshiba объявили о разработке первого в отрасли пространственного чипа флеш-памяти, состоящего из 48 слоев. Микросхема имеет вертикальную компоновку, выполненную по технологии, которую в Toshiba называют Bit Cost Scaling (BiCS).

Емкость стандартных потребительских твердотельных накопителей вырастет до впечатляющей отметки в 10 Тбайт благодаря новому виду пространственной флеш-памяти NAND, созданной специалистами Intel и Micron, которые давно сотрудничают в этой области.

Рост отмечен во всех категориях микроэлектронных компонентов, но рынок микросхем памяти всех видов рос быстрее всех остальных сегментов и по итогам года увеличился на 16,9%. Больше всего от этого выиграли SK Hynix и Micron.

ELKO Group и Crucial заключили дистрибьюторское соглашение.

Новые твердотельные накопители Micron Technology — M600 — снабжены чипом, переключающим режим работы флэш-памяти между высоким быстродействием и высокой емкостью.

Память DDR4 постепенно начнет вытеснять применяемые сейчас модули DDR3, прежде всего в серверах и игровых ПК. Переход на DDR4 позволит на 50% увеличить пропускную способность памяти и на 35% сократить ее энергопотребление.