Micron Technology

Micron, Samsung и SK Hynix заявили о сокращении производства из-за образовавшегося на рынке избытка предложения.

Министерство торговли США в ответ заявило, что считает введенные Китаем ограничения необоснованными.

Компания планирует начать строительство предприятия, которое займется изготовлением микросхем памяти, в штате Нью-Йорк. В течение следующих 20 лет на это предприятие может быть потрачено до 100 млрд долл.

В течение ближайших десяти лет в строительство предполагается вложить около 15 млрд долл.

Унаследованный интерфейс SATA может значительно уступать PCIe в скорости, но во многих случаях он по-прежнему весьма полезен.

После резкого роста, вызванного переходом на дистанционную работу и обучение из-за пандемии, доходы провайдеров облачных сервисов стали падать.

Стоимость второго в мире производителя микросхем флеш-памяти в подобной сделке может составить порядка 30 млрд долл.

Во второй половине 2020 года спрос на смартфоны и другую бытовую электронику будет ниже, чем ожидалось, считают в компании.

В связи с изменением структуры спроса производитель микросхем положением Micron переводит поставки с сегмента смартфонов в сегмент центров обработки данных.

С начала этого года китайская компания борется с проблемами, возникающими из-за наложенных правительством США запретов на торговлю с ней.

В компании заявляют, что благодаря разработанному ею контроллеру SSD обладает большей скоростью, чем устройства линейки Intel Optane.

Платформа «ESMART Доступ ГОСТ» на базе отечественного микроконтроллера защищена от перехвата сигнала, клонирования и взлома карты благодаря поддержке шифрования по ГОСТ.

Корпорация продемонстрировала возможности 3D Xpoint Optane, энергонезависимой памяти нового типа, разрабатываемой совместно с Micron.

В 2015 году более 25% новых мобильных компьютеров были оснащены твердотельными накопителями, а к 2017 году их доля увеличится уже до 40%.

Как предполагают эксперты, инвестиции ориентированы в первую очередь на расширение выпуска микросхем памяти 3D NAND.

Новая память, как утверждают в Intel и Micron, на порядок плотнее, чем DRAM, и является энергонезависимой, но работать может в тысячу раз быстрее, чем флеш-память.

Революционная технология памяти, анонсированная компаниями Intel и Micron, обещает стать огромным шагом вперед в организации хранения.

В Tsinghua Unigroup якобы готовы выложить 23 млрд долл. Американская компания отрицает получение предложения о сделке.

В Toshiba объявили о разработке первого в отрасли пространственного чипа флеш-памяти, состоящего из 48 слоев. Микросхема имеет вертикальную компоновку, выполненную по технологии, которую в Toshiba называют Bit Cost Scaling (BiCS).

Емкость стандартных потребительских твердотельных накопителей вырастет до впечатляющей отметки в 10 Тбайт благодаря новому виду пространственной флеш-памяти NAND, созданной специалистами Intel и Micron, которые давно сотрудничают в этой области.