DRAM

Бурный рост стимулируется инвестициями в инфраструктуру ИИ и повышением цен на память.

Многократная активация строк памяти в GPU приводит к битовым инверсиям и компрометации системы.

Основная проблема – не в освоении нового производства, а в противодействии американским санкциям.

Рынок чипов памяти на фоне масштабной «мемфляции» в 2026 году вырастет втрое.

Z-Angle Memory способна превзойти HBM при работе с ИИ-нагрузками.

Модулям HBM для ИИ-ускорителей требуется в три раза больше емкости пластин стандартной памяти DRAM.

Это поможет гиперскейлерам и операторам ЦОДов, но не решит всех проблем на фоне растущего спроса на ИИ.

Эксперты, не уверенные в рыночном успехе новой технологии, напоминают о провале памяти Optane, который стоил Intel 10 млрд долл.

Впервые в стандарт включен метод повышения безопасности работы с памятью с помощью подсчета активаций по строкам.

Спрос на высокопроизводительную память подогревает распространение технологий искусственного интеллекта, требующих больших вычислительных ресурсов.

Из-за непрекращающегося дефицита микросхем и торговой войны между США и Китаем многие страны, включая Японию, принимают меры по развитию внутреннего производства.

В текущем году продажи по сравнению с предыдущим годом упали почти на 11%.

Возвращение к росту в 2024 году будет обусловлено спросом на технологии искусственного интеллекта и расширением дата-центров, где требуются современные типы памяти.

В 2024 году распространение технологий искусственного интеллекта на пользовательских устройствах приведет к повышению спроса на микросхемы памяти, считают в компании.

Для завода в Хиросиме будет приобретено оборудование для производства микросхем с использованием литографии в крайнем ультрафиолете.

Крупнейший производитель микросхем DRAM и NAND, оказался в положении догоняющего в сегменте высокопроизводительной памяти, где спрос восстанавливается.

Micron, Samsung и SK Hynix заявили о сокращении производства из-за образовавшегося на рынке избытка предложения.

Количество слоев в микросхемах NAND некоторых производителей измеряется сотнями, однако в памяти DRAM реализовать аналогичный подход пока не удается.

По прогнозам TrendForce, средний объем памяти DRAM в серверах в 2023 году увеличится на 12,1%, тогда как в смартфонах – только на 6,7%.

Завод сможет выпускать 12-дюймовые кремниевые пластины под микросхемы памяти DRAM.