Британские компании Quinas Technology, разработчик чипов памяти, и IQE, поставщик передовых полупроводниковых материалов, объявили об успешном завершении совместного проекта создания масштабируемого метода производства универсальной памяти — UltraRAM. Эта память, основанная на квантовом резонансном туннелировании, сочетает быстродействие и долговечность оперативной памяти DRAM с энергонезависимостью флэш-памяти NAND. Новая технология разработана в Ланкастерским университете (Великобритания).

По данным Quinas, каждый модуль UltraRAM выдерживает 10 млн циклов программирования/стирания в отличие от флеш-памяти NAND с 10 тыс. циклов перезаписи, после которых ячейки теряют способность сохранять содержимое. Такое стало возможным благодаря низковольтному процессу программирования/стирания с ультранизким энергопотреблением (менее 1 фемтоджоуля на перезапись), основанному на квантовом резонансном туннелировании, заявили в компании.

Напряжение в новом типе памяти составляет 2,6 В, что значительно меньше 20 вольт, необходимых для NAND. Это должно привести к заметному снижению расходов на электроэнергию и увеличению срока службы систем хранения данных. Согласно опубликованным данным, энегопотребление UltraRAM в 1 тыс. раз меньше, чем NAND, а срок службы, как показали лабораторные тесты, достигает 1 тыс. лет.

Память UltraRAM создана с использованием полупроводниковых материалов, состоящих из элементов III и V групп периодической таблицы, обладающих уникальными свойствами для применения в таких электронных устройствах, как транзисторы, светодиоды и солнечные батареи, пояснили разработчики.

В рамках совместного проекта в IQE успешно масштабировали до промышленного уровня производство составных полупроводниковых слоев (compound semiconductor layer), разработанных в Ланкастерском университете. Это стало первым шагом на пути к коммерческому выпуску чипов UltraRAM.

Их появление может оказать заметное влияния на различные сегменты рынка вычислительных систем. В Quinas подчеркивают важность памяти UltraRAM для ЦОДов, где она способна значительно снизить энергозатраты. В потребительских устройствах можно ожидать увеличения быстродействия, автономности и надежности.

Разработчики ведут переговоры о массовом производстве UltraRAM с крупнейшими контрактными вендорами микросхем. В Objective Research подчеркивают, что объем производства должен быть достаточно высоким, чтобы снизить затраты, а цена — низкой, чтобы увеличить продажи, напомнив, что в Intel долго пытались субсидировать производство памяти Optane, чтобы добиться этого, но сдались, потеряв около 10 млрд долл.