В IBM представили технологию производства чипов с узлом менее 1 нм, которая повышает плотность интеграции элементов и позволяет уменьшить размеры основных структур транзисторов до уровня 0,7 нм. Кремниевый чип размером с ноготь на ее основе вмещает почти 100 млрд транзисторов. Благодаря ряду структурных и материаловедческих инноваций, включая трехмерную архитектуру nanostack, остается возможным дальнейший рост производительности и энергоэффективности даже тогда, когда размеры элементов чипа приближаются к атомным размерам, утверждают в IBM. Технология IBM nanostack развивает архитектуру нанолистов за счет вертикального размещения элементов в несколько слоев с чрезвычайно короткими соединениями для обмена данными между ними. Внутри каждого слоя могут применяться различные комбинации материалов, оптимизируя производительность и энергоэффективность самого слоя или всего транзистора для решения конкретной задачи. По оценкам, ИИ-ускоритель, созданный на базе чипов с новой технологией, способен в шесть раз опередить по производительности существующие решения. В IBM считают, что при наиболее оптимистичном сценарии развития технология nanostack может быть внедрена в производство примерно через пять лет.
.jpg)
Источник: IBM
