В МТИ создали магнитный транзистор, заменив традиционный кремний магнитным полупроводником и открыв возможность разработки более компактных, производительных и энергоэффективных электронных устройств. Магнетизм оказывает заметное влияние на электронные свойства материала полупроводника, обеспечивает более эффективное управление работой транзистора и снижает энергопотребление. Фундаментальные же физические свойства кремниевых полупроводников не позволяют уменьшать необходимое для их работы напряжение ниже определенного предела и ограничивают энергоэффективность. В магнитных транзисторах управление электрическим током происходит за счет ориентации спинов электронов, а не только за счет их электрического заряда и небольшого внешнего напряжения, которое подается на базу или затвор кремниевых полупроводников. Исследователи заменили кремний в поверхностном слое транзистора бромидом хрома и серы. Этот двумерный материал, обладающий свойствами полупроводника и магнитными свойствами, структура которого обеспечивает точное переключение между двумя магнитными состояниями. С применением магнитных материалов появляется возможность создавать транзисторы со встроенной памятью, совмещая магнитную ячейку хранения данных и транзистор для их считывания.
