Компания Micron Technology планирует в начале следующего года приступить к поставкам модулей Hybrid Memory Cube, способных встряхнуть отрасль оперативной памяти, радикальных усовершенствований которой не было уже несколько десятков лет. Технология HMC, впервые анонсированная в 2011 году, обеспечит существенное повышение быстродействия и энергоэффективности памяти, потребность в чем назрела уже давно.

HMC обеспечивает в 15 раз более высокую пропускную способность, чем динамическая оперативная память DDR3, и потребляет при этом на 70% меньше электроэнергии. А в сравнении со стандартом DDR4, переход на который сейчас происходит, пропускная способность HMC в пять раз больше, а расход энергии намного меньше.

Чипы HMC размещаются в модулях кубической формы. Кристаллы соединены друг с другом через сквозные отверстия по методу through silicon VIA, который дает преимущества в быстродействии по сравнению с обычной DRAM. Материнские платы будут поставляться с впаянными модулями HMC, размещаемыми рядом с центральным процессором или другими чипами. Модули HMC емкостью по 4 и 8 Гбайт уже поставляются производителям серверов и микросхем для тестирования. Первые модули HMC будут использоваться в программируемых логических матрицах (FPGA); кроме того, в Intel готовят чипсеты c HMC и новой моделью ускорителя Xeon Phi под кодовым именем Knights Landing. Память HMC, благодаря своему быстродействию предпочтительная для суперкомпьютерных применений, в таком чипсете тесно интегрируется с Knights Landing. Процессор также сопровождается работающей в режиме временного кэша более медленной памятью DDR4, которую можно использовать для выполнения обычного кода.

Оперативная память ускорится в 15 раз

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF