Органический полевой транзистор с верхним затвором и двойным изолирующим слоем создан в Технологическом институте Джорджии (США). Первый компонент изолирующего слоя затвора – оксид алюминия. Рядом с ним – фторированный полимер, дающий минимальное количество дефектов в области контакта с органическим полупроводником. Его диэлектрическая проницаемость мала, а оксид алюминия, диэлектрик с высоким значением диэлектрической проницаемости, имеет прямо противоположные свойства. Несмотря на то что в транзисторе действуют сразу два механизма ухудшения характеристик, в целом компоненты изолирующего слоя идеально дополняют друг друга, и отрицательные эффекты нейтрализуются. Транзистор имеет стабильные характеристики – пороговое напряжение и мобильность в 20 тыс. рабочих циклов и 24-часовые испытания на смещение постоянным током. 210 дней, проведенные на воздухе, не ухудшили его свойств. Устройство сохранило работоспособность даже после часового погружения в ацетон. Температура изготовления транзисторов такого типа менее 150 градусов в обычной атмосфере, что позволяет размещать их на пластиковых гибких подложках.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF