Инженеры IBM предлагают повысить компактность и экономичность интегральных схем за счет размещения кристалла процессора поверх уровня с памятью или другими элементами и последующего соединения слоев с помощью проводников, пропущенных через проделанные в структуре сквозные отверстия. Идея многослойных микросхем не нова, но до сих пор уровни в них соединялись длинными проводниками, огибающими слои через края. По словам сотрудников IBM, проделав сквозные отверстия, можно будет в тысячу раз укоротить проводники, и им потребуется на 40% меньше электрической мощности. IBM «сверлит» отверстия в кристаллах химическим способом в ходе стандартного процесса изготовления КМОП, благодаря чему начать поставку образцов заказчикам можно будет уже во второй половине этого года, а приступить к производству в полном масштабе — в 2008-м. Как ожидается, первыми заказчиками станут производители оборудования беспроводных локальных сетей и сотовой связи. Затем в IBM применят данный способ, получивший название silicon-through-vias, к своим собственным микропроцессорам, размещая чипы серии Power поверх памяти. Как утверждают в IBM, такой метод даст возможность в 100 раз увеличить количество каналов в тракте обмена данными.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями