С уменьшением топологического размера элементов микросхем повышается риск выпуска бракованных чипов, поскольку даже микроскопическая пылинка, попавшая на 300-миллиметровую основу, может уничтожить целый процессор. Кроме того, уже при размере 65 нм, не говоря о 45 нм, элементы становятся меньше, чем длина волны света, используемого для переноса маски на кристалл. Для борьбы с этими недостатками компании будут использовать технологии, которые позволят повысить экономическую эффективность производства — иммерсионную литографию, предусматривающую использование жидкости в качестве линзы между маской и кристаллом, межсоединения со сверхнизкой диэлектрической проницаемостью и улучшенный метод «сжатия» транзисторов, который позволит уменьшить длину затвора, повысив плотность упаковки элементов. AMD и IBM совместно разрабатывают технологии производства микросхем с 2003 года, и недавно продлили действие соответствующего контракта до 2011 года. К этому времени в компаниях планируют достичь топологических размеров 32 нм и 22 нм.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями

Купить номер с этой статьей в PDF