тех и других на 24%. Технология получила наименование Dual Stress Liner. Ее идея состоит в одновременном применении кремния с деформированной атомной решеткой для транзисторов обоих типов. Скорость переключения транзисторов p-типа повышается при растяжении решетки и снижается при сжатии. Транзисторы n-типа, наоборот, начинают работать быстрее при сокращении и медленнее — при увеличении межатомных расстояний. Суть Dual Stress Liner — в сжатии кремния основы при помощи пленки нитрида кремния и последующем удалении ее только с транзисторов n-типа. В IBM новую технологию планируют применять во всех ее 90-нанометровых процессорах, начиная со следующего года. AMD уже использует данную методику в производстве процессоров Athlon FX-55, а в 2006 году начнет также применять ее в Opteron и Athlon 64, которые будут производиться по технологии как на 90 нм, так и на 130 нм.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями