Созданный IBM транзистор демонстрирует способность новой технологии поддерживать скорость передачи данных выше 100 Гбит/с. При этом кремниево-германиевые полупроводники потребляют намного меньше электроэнергии по сравнению с традиционно используемыми арсенидом галлия и фосфидом индия. Технология SiGe уже нашла достаточно широкое применение в различных высокоскоростных устройствах для проводной связи и в недорогих беспроводных устройствах. Кроме того, она обеспечивает более широкие возможности интеграции, что позволяет проектировщикам совместить больше функций на одном кристалле и тем самым получить выигрыш в скорости, энергопотреблении, стоимости и массе. Создание новой технологии упрочивает положение IBM в области кремниево-германиевых микросхем. По данным исследовательской фирмы IC Insights, в 2001 году суммарные продажи продукции SiGe составил 320 млн. долл., а к 2006 году, по прогнозам того же отчета, он достигнет 2,7 млрд. долл. Также утверждается, что доходы IBM составили более 80% от всего объема рынка SiGe в 2001 году. IBM разработала свой первый вариант технологии SiGe в 1989 году. С тех пор она нашла применение для самых разных целей, в частности, в радиоприемниках и передатчиках сотовых телефонов, в микросхемах для беспроводных локальных сетей, в высокоскоростном испытательном и измерительном оборудовании, в оптических системах передачи данных.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями