В обычных транзисторах затвор находится поверх стока и истока на равных расстояниях от них, а те, в свою очередь, располагаются на слое кремния или, в транзисторах IBM, на слое «кремний на изоляторе» (SOI — silicon on insulator). В двухзатворных транзисторах затвор огибает канал «сток-исток» наподобие скобы. При этом вся структура размещается параллельно слою SOI, соприкасаясь с ним. IBM намерена использовать двухзатворные транзисторы в собственных микросхемах, а также лицензирует новую технологию своим традиционным клиентам.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями