на основе антимонида индия способен работать примерно в полтора раза быстрее аналогичного кремниевого, потребляя при этом на порядок меньше электроэнергии. Такая возможность обусловлена тем, что у антимонида индия существенно выше подвижность электронов по сравнению с кремнием. Прототип, созданный в Intel, представляет собой кремниевый транзистор, имеющий канал, выполненный из антимонида индия. Элемент пребывает в выключенном состоянии до тех пор, пока на его затвор не будет подано напряжение - работающие таким образом транзисторы применяются в микропроцессорах. Следующая задача, стоящая перед Intel и QinetiQ - научиться формировать новые транзисторы на кремниевой основе. Пока достигнута лишь возможность формирования элементов нового типа на основах из арсенида галлия, которые значительно дороже в производстве, чем кремниевые. Создать первый процессор на транзисторах из антимонида индия в Intel рассчитывают к середине следующего десятилетия.

Служба новостей IDG, Сан-Франциско

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями