Компания Intel рассказала о перспективах памяти Optane и технологии Penta Level Cell NAND, а также о планах выпуска более емких твердотельных накопителей и ориентировочных сроках появления энергонезависимой памяти в ПК потребительского класса.

Соответствующие анонсы прозвучали на конференции в Сеуле, где Intel продемонстрировала ряд своих новых технологий. После развода с Micron разработка Optane переносится в Ранчо-Рио (штат Нью-Мексико).

Перспективы Optane: Barlow Pass

Предположения о том, что Intel координирует разработки средств хранения с процессорными новшествами нашли свое подтверждение: Cooper Lake и Ice Lake будут поддерживать модули Optane DC Persistent Memory второго поколения. Модули Optane, разрабатывавшиеся под кодовым наименованием Barlow Pass, будут тесно интегрированы с новыми процессорами Xeon. А разработка Crow Pass, еще не получившая официального названия, но уже успевшая нашуметь, окажется совместима с готовящимися к выпуску процессорами Xeon Sapphire Rapids.

Optane DC Persistent Memory – это модули высокопроизводительной энергонезависимой памяти высокой плотности, устанавливаемые в разъемы DDR4. Для поставщиков программного обеспечения, оптимизировавших Optane DC Persistent Memory наряду с твердотельными накопителями Optane, основной задачей становится увеличение производительности и снижение себестоимости.

Alder Stream – SSD Optane второго поколения

Помимо DC Persistent Modules второе поколение Optane будет использоваться для создания твердотельных накопителей Optane DC. В Intel утверждают, что производительность новых накопителей, проектируемых сегодня под кодовым наименованием Alder Stream, серьезно возрастет по сравнению с уже существующими.

Накопители Optane DC P4800X первого поколения заметно опережали по производительности устройства Intel DC P4610. Высокое быстродействие и малые задержки Optane уже давно нашли свое подтверждение. Что же касается устройств Alder Stream следующего поколения, с точки зрения задержек и производительности IOPS они шагнули еще дальше. Если оборудование P4800X первого поколения выполняло около полумиллиона операций ввода-вывода в секунду, то потолок Alder Stream существенно выше.

Intel: память PLC NAND – лучшая

Около половины данных в мире появились в последние два года, поэтому дополнительное пространство для их хранения пользуется большим спросом. А это значит, что существующие SSD QLC (Quad-Level Cell) вряд ли смогут удовлетворить растущие потребности.

Компания Intel планирует создать память NAND, позволяющую хранить в одной ячейке пять бит данных (Penta-Level Cell, PLC). То есть в одной ячейке будет храниться пять различных значений, тогда как у оригинальной памяти Single Level Cell в одной ячейке хранится один бит, а у памяти Quad Level Cell – четыре бита.

И здесь Intel не одинока: месяц назад Toshiba сообщила о своих планах выпуска памяти PLС. В Intel, однако, считают, что их память NAND, созданная на основе транзисторов с плавающим затвором, превосходит по своим свойствам более распространенную память с технологией ловушки заряда, которую использует большинство производителей памяти 3D NAND. Ячейки с плавающим затвором обеспечивают более высокую устойчивость операций чтения и увеличение плотности размещения элементов в памяти QLC

Ячейки с плавающим затвором могут оказаться более пригодными и для памяти PLC. Подтвердить это пока трудно, но есть предположение, что Micron прекратила сотрудничество с Intel именно из-за желания отказаться от плавающего затвора в пользу технологии ловушки заряда. При проектировании памяти PLC в Toshiba скорее всего сделают ставку на технологию плавающего затвора. Но для того чтобы узнать точный ответ на этот вопрос, нам придется еще год-другой подождать.

Как бы то ни было, независимо от технологических деталей, емкость устройств в любом случае будет расти.  Intel намерена представить в этом году 96-слойные накопители QLC, а в следующем году число слоев в них увеличится уже до 144. На начальном этапе такие устройства будут предназначаться для использования в ЦОДах.

Intel DC Persistent Memory DIMMS

Последняя из новостей касается планов Intel по налаживанию выпуска модулей DIMM Optane для потребителей. Сегодня их применение ограничено только ЦОДами, но в ближайшем будущем они должны появиться и в рабочих станциях.

По словам представителей Intel, соответствующее оборудование уже готово и поддерживает модули DIMM Optane в Windows 10. Однако в компании полагают, что пройдет еще год или два, прежде чем такие средства начнут в полной мере использоваться приложениями и операционной системой.