MRAM

CEATEC: TDK показала прототип магниторезистивной памяти с переносом спинового момента

Память STT-MRAM способна записывать и считывать данные с той же скоростью, что и современные микросхемы SRAM и DRAM, но, в отличие от них, является энергонезависимой и может сохранять записанные данные в течение многих лет, как флеш-память.

Технологии хранения для Больших Данных

Для эпохи Больших Данных требуются одновременно емкие и быстрые системы хранения, однако сегодня нет предпочтительной технологии, отвечающей сразу двум этим требованиям, — необходима память, построенная на новых физических принципах.