Так, один из ведущих производителей комплектующих, компания Gigabyte Technology, оснащает свои системные платы технологией Dynamic Energy Saver Advanced (DESA), предназначенной для осуществления гибкого управления электропитанием процессора.
DESA, по утверждению Gigabyte, - первая и единственная в мире энергосберегающая технология с аппаратным динамическим переключением количества фаз питания центрального процессора. Она обеспечивает автоматическую регулировку потребляемой мощности в зависимости от загрузки процессора, позволяя сократить потребление электричества процессором до 70%. DESA является эволюционным развитием ранее использовавшейся системы DES. В отличие от технологии предыдущего поколения, DESA позволяет экономить электроэнергию даже при выключенной программной утилите, не ограничивает действия пользователя по изменению частоты и напряжения питания компонентов системной платы, продолжая работать даже при искусственном разгоне системы. Работу DESA можно "увидеть": на системной плате размещена линейка светодиодов, которые переключаются в зависимости от текущего режима энергосбережения.
Одной из новых системных плат, в которой реализована технология DESA, стала Gigabyte GA-EP45-DS4. Она предназначена для любителей "разгонять" свои компьютеры. Плата базируется на наборе микросхем системной логики Intel P45 + ICH10R и поддерживает как нынешние процессоры Intel Core 2, так и будущие, "45-нанометровые". Так как VRM соответствуют спецификациям Intel VDM 11.1, при использовании изготовленных по технологии на 45 нм процессоров система DESA может использовать режим виртуального 12-фазного переключения для обеспечения большей эффективности регулировки напряжения питания. Для управления питанием набора микросхем системной логики и оперативной памяти используется двухфазное переключение питания. Специализированная микросхема аппаратного контроля напряжения позволяет пользователю вручную выставлять требуемое напряжение питания процессора, чипсета и памяти с шагом 20 мВ. Конструктивной особенностью платы GA-EP45-DS4 является использование полностью медной системы охлаждения чипсета и модулей питания процессора. Такое решение обеспечивает более эффективное охлаждение системы, используя потоки воздуха в корпусе, и не требует установки дополнительных вентиляторов.
GA-EP45-DS4 имеет три слота для графических плат - два графических интерфейса PCI-E 2.0 x16/x8 и PCI-E x4 с поддержкой технологии CrossFire. Это позволяет добиться максимально возможной на сегодняшний день производительности в графических приложениях, используя суммарную мощность до трех видеокарт, работающих в режиме х8+х4+х8, или подключить до шести мониторов. Прочие характеристики новинки определяются возможностями набора микросхем Intel P45. Благодаря ему возможно использование процессоров с частотой системной шины от 800 МГц до 1600 МГц и оперативной памяти DDR2 с частотой до 1200 МГц. Для контроля правильности установки компонентов и их исправности на GA-EP45-DS4 расположены семь диагностических светодиодов, индуцирующие состояние процессора, памяти, портов PCI-E, шины PCI и контроллеров SATA и IDE.
В GA-EP45-DS4 использован весь спектр фирменных энергосберегающих технологий Gigabyte, включающий в себя, кроме DES Advanced и Ultra Durable 2. Формально Ultra Durable 2 направлена на снижение тепловыделения компонентов системной платы, но практически это означает более высокий КПД использования электроэнергии, что ведет к сокращению потребляемой мощности. Сама Ultra Durable 2 базируется на использовании электронных компонентов со специально подобранными характеристиками. Так, в схеме питания процессора и оперативной памяти используются конденсаторы с твердым электролитом, обладающие меньшими токами утечки и лучшей стабильностью характеристик в более широком интервале температур на протяжении большего времени эксплуатации. Также в модулях питания процессора VRM используются дроссели с ферритовыми сердечниками и МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии. Дроссели с ферритовыми сердечниками более эффективны, чем используемые обычно. Железные сердечники, используемые в традиционных дросселях, обладают менее высоким уровнем магнитного насыщения и с меньшей эффективностью работают на высоких частотах, чем ферритовые. МОП-транзисторы с низким сопротивлением в открытом состоянии благодаря более низкому сопротивлению полупроводникового перехода обеспечивают пониженное энергопотребление и тепловыделение. Благодаря Ultra Durable 2 температура в зоне процессорного разъема снижается на несколько десятков градусов.
.jpg)
