Фото: Connie Chang-Hasnain Group

Исследователи надеются, что их разработка проложит путь к созданию быстрых и энергоэффективных «фотонных» микропроцессоров и функционально богатых биохимических датчиков на основе оптоэлектронных чипов.

Заставить сам кремний излучать свет практически невозможно, поэтому инженеры обратились к другим полупроводникам - трехкомпонентным составам группы III-V, которые используются в основе светодиодов и лазеров. Поскольку атомная структура таких полупроводников отличается от кремния, совместить его с этими веществами ранее не представлялось возможным. Исследователи преодолели эту трудность, разработав метод выращивания «наноколонн» из арсенида индия-галлия, вещества группы III-V, с помощью химического осаждения из паровой среды при относительно низкой температуре в 400 градусов Цельсия. Такая наноколонна способна при комнатной температуре излучать лазер ближнего инфракрасного диапазона.

Как полагают исследователи, созданный ими уникальный метод выращивания нанолазеров непосредственно на кремнии способен дать толчок развитию высокоэффективной кремниевой «фотоники» - лазеров, фотодетекторов, модуляторов и солнечных элементов. Благодаря микроскопическим размерам наноколонн (их диаметр - менее 950 нм) их можно размещать в больших количествах на малой площади.

 

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями