Ученые многих стран мира занимаются исследованием способов практического использования графена.

Несколько лет назад голландские ученые показали, что графен может служить материалом для биполярных сверхтоковых транзисторов, а в новой работе Картика Моханрана (университет им. Райса) и Александра Баландина (Калифорнийский университет) и их студентов демонстрируется создание на основе графена амбиполярных транзисторов, способных, благодаря электрическим свойствам графена, переключаться между тремя режимами работы – с электропроводностью канала n-типа, p-типа, а также в режиме умножителя частоты. Графеновые транзисторы могут работать намного быстрее кремниевых: в экспериментах уже достигалась скорость, вдесятеро превышающая скорость лучших современных кремниевых транзисторов, а теоретически она может быть в тысячи раз выше. Впрочем, проблемой пока остается массовое производство графена.