Компания Samsung начала производство первых на рынке микросхем флэш-памяти с плотностью в три бита на ячейку с использованием 20-нанометрового техпроцесса. Масштаб элементной базы этих схем примерно на 14% меньше, чем у предыдущего поколения, а емкость в битах стала больше в два раза. Кроме того, в микросхемах реализован асинхронный интерфейс ToggleDDR версии 1.0, обеспечивающий в потенциале пропускную способность до 133 Мбит/с. Объем одной микросхемы составляет 64 Гбит.

Предыдущие варианты многоуровневых ячеек флэш-памяти (Multi-Level Cell, MLC) обладали емкостью в 2 бита на ячейку. Одноуровневые ячейки (Single-Level Cell, SLC) считаются более подходящими для оборудования корпоративного класса, поскольку имеют больший срок службы и производительность, но современные контроллеры с выравниванием зон записи позволили применять память MLC и там.

В августе о создании микросхем с плотностью в три бита на ячейку и емкостью 64 Гбит объявила компания IMFT — совместное предприятие Intel и Micron. Однако их серийное производство пока не начато.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями