Исследователи растягивали графеновые листы особым образом, добиваясь образования микроскладок, которые ученые называют нанопузырьками. Оказалось, что электроны вокруг этих пузырьков ведут себя так, как будто находятся под воздействием магнитного поля силой порядка 300 Тесла (для сравнения, сила магнитов, установленных в лабораториях Министерства энергетики США, ограничена 100 Тесла).

Самое важное в открытии ученых состоит в возможности точно контролировать поведение электронов вокруг нанопузырьков. Исследователи полагают, что способность управлять магнитоподобными силами огромной величины открывает путь к созданию гораздо гораздо более мощных транзисторов для микросхем. В настоящее время исследование продолжается. По словам физиков, они уже выработали ряд идей по организации сложных схем растяжения графена, необходимых для получения требуемого эффекта.