Исследователи из Иллинойского университета в Урбана-Шампань разработали новый способ изготовления тонких пленок арсенида галлия - материала, превосходящего кремний по ряду электрических параметров, но из-за дороговизны редко используемого в массово выпускающихся электронных устройствах.
В традиционном способе изготовления на подложку наносится только одна пленка арсенида галлия. Процесс требует времени на подготовку и применения сложного оборудования, но ученые поняли, что расходы можно значительно сократить, если наносить на подложку несколько пленок подряд, отделяя их друг от друга прослойками арсенида алюминия. Затем многослойная структура погружается в раствор кислоты и окислителя, где прослойки растворяются, после чего тонкие пленки арсенида галлия можно одну за другой снять и перенести на другую подложку - стеклянную или пластмассовую, которая может быть даже гибкой.
Авторы продемонстрировали применение многослойных структур для изготовления трех типов полупроводниковых устройств на основе арсенида галлия: световых датчиков, скоростных транзисторов и элементов солнечных батарей.
 

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями