Дальнейшая миниатюризация микросхем необходима для увеличения производительности, снижения потребления энергии и себестоимости. Компаниям, желающим сохранить конкурентоспособность на рынке DRAM, нужно развивать технологии, подчеркнул президент Nanya Technology на пресс-конференции. Лидер рынка, Samsung Electronics, переходит в настоящее время на 30-нанометровый процесс производства, опережая в этом всех конкурентов. По утверждениям Samsung, их 30-нанометровые схемы DRAM DDR3 потребляют на 30% меньше энергии по сравнению с 50-нанометровыми и вдвое дешевле в производстве. Micron и Nanya обладают только промышленными технологиями масштаба 42 нм, а 30-нанометровый процесс (под названием 3Xnm) реализован ими лишь в лаборатории. Точных сроков в отношении 20-нанометрового процесса компании пока не называют. Micron Technology владеет долей в IM Flash Technologies, совместном предприятии с Intel. Там по 25-нанометровому технологическому процессу производят микросхемы флэш-памяти. Но схемами DRAM совместное предприятие не занимается.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями