В корпорации IBM создали прототип так называемой встраиваемой динамической памяти (eDRAM) нового поколения. Он изготавливается по 32-нанометровой технологии «кремний на диэлектрике» (SOI) и по сравнению со стандартными обеспечивает на 30% большую производительность и на 40% сниженное потребление энергии. Обычная статическая память SRAM способна достичь таких показателей только при использовании 15-нанометровых технологий. Плотность записи у новых ячеек памяти в четыре раза превышает плотность записи современных 32-нанометровых ячеек SRAM.  Кроме того, она потребляет в четыре раза меньше энергии в фоновом режиме и обладает в тысячу раз меньшим уровнем ошибок, вызванных накоплением статических зарядов.

По утверждениям компании, память обладает задержками менее 2 наносекунд и является самой быстрой на сегодняшний день встраиваемой памятью.

IBM уже ведет переговоры с производителями микросхем, а компания ARM разработала предварительный вариант схемной библиотеки для 32-нанометровой технологии. Соглашение с ARM распространяется и на будущую технологию на 22 нм.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями