Новая технология позволит снизить себестоимость и потребление микросхемами энергии, в то же время увеличив их скорость работы и функциональность. Меньшие размеры элементов позволяют увеличить их количество на кристалле, соответственно повысив характеристики схемы.
 
В изготовлении 32-нанометровых микросхем Intel будет применяться второе поколение технологии «high-k диэлектрик и металлический затвор» и иммерсионную литографию на 193 нм. Как заявляют в компании, разработанный процесс обеспечивает наивысшую производительность транзисторов и плотность  расположения среди всех известных на сегодняшний день 32-нанометровых процессов.
 
Компания уже четыре года подряд ежегодно внедряет новую процессорную архитектуру и технологический процесс. Подробности разработки Intel представит на следующей неделе на конференции IEDM.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями