IBM совместно с AMD, Freescale, STMicroelectronics и Toshiba, а также Колледжем научных и прикладных исследований в области нанотехнологий создали первые в мире действующие элементы памяти типа SRAM с технологической нормой 22 нм. Образцы изготовлены из 300-мм подложек в одном из наиболее передовых в области нанотехнологий исследовательском комплексе в Олбани.

Технологическая норма 22 нм на два поколения опережает современный уровень полупроводникового производства. Следующее поколение чипов будет основано на технологической норме 32 нм. Изготовленная ячейка SRAM имеет обычную конструкцию на основе шести транзисторов и площадь всего 0,1 кв. мкм, что существенно меньше предшествующих ячеек этого типа.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями