Фото Кэти Аткинсон, университет шт. Делавэр


Группа инженеров-электронщиков из университета шт. Делавэр и компании Cambridge NanoTech впервые продемонстрировала возможность спинового токопереноса через кремниевую основу стандартной толщины, что подтвердило вероятность применения кремния для создания микросхем, основанных на спинтронике (на фото: созданный учеными "спинтронный" чип). Для этого исследователи изготовили устройство, инжектирующее электроны высоких энергий из ферромагнетика в кремниевую основу. Еще одна структура, состоящая из двух кремниевых основ с проложенным между ними тонкопленочным ферромагнетиком, послужила детектором "горячих" электронов на выходе. Ранее той же группе исследователей удалось достичь очень высокого уровня поляризации для кремния (спинтроника оперирует с электронами, спин которых "смотрит" в одну сторону) и продемонстрировать первый в мире полупроводниковый спиновый полевой транзистор.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями