Специалисты Центра прикладной наноионики (CANi) Аризонского университета еще несколько лет тому назад предложили хранить биты в виде сопротивления, а не заряда, и разработали соответствующую технологию, которой заинтересовались в ряде компаний. Однако микросхемы нового типа требовали веществ, не используемых в производстве обычной памяти, и недавно в CANi доработали свою идею, создав резистивную память на основе кремния, легированного обычной медью. Такая память является энергонезависимой (сопротивление после изменения сохраняется), а кроме того, ее надежность с уменьшением размера ячейки не страдает, что позволит радикально повысить плотность хранения.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями