Последние были выращены на многослойной подложке - структуре вида оксид-нитрид-оксид. Приложение положительного напряжения к проводникам заставляет электроны перемещаться из них в подложку, заряжая ее. Отрицательное вызывает обратный переход. Таким образом, каждая нанопроволока хранит 0 или 1 в зависимости от местонахождения электронов. Память данного типа обладает рядом преимуществ: простотой чтения и записи, высоким сопротивлением к воздействию внешних электрических полей и большим соотношением тока включения-выключения, что позволяет четко различать состояния 0 и 1. Кроме того, конструкция отличается стабильностью при высоких температурах и доступна для производства по существующим технологиям с несложными модификациями.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями