Данная технология с минимальными доработками оборудования и процессов может быть внедрена в существующие линии по производству микросхем. Ожидается, это достижение окажет сильное воздействие на многие отрасли и приведет к совершенствованию электронных систем всех типов. IBM уже внедрила эту технологию в свою самую современную линию по производству полупроводниковых компонентов в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк) и, начиная с 2008 года, планирует ее применение в 45-нм микросхемах. Технология, относящаяся к категории high-k/metal-gate (диэлектрик с высоким значением k/металлический затвор), внедряет новый материал в "переключательную" часть транзистора. Новый материал улучшает процессы функционирования транзистора и позволяет уменьшить его размеры.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями