По данным компании, созданная микросхема включает более 1 млрд. транзисторов. Одной из главных проблем для снижения размеров транзисторов в настоящий момент являются токи утечки, однако по утверждению Intel удалось снизить их значение в пять раз по сравнению с полупроводниковыми устройствами, произведенными по 65-нм техпроцессу. Коммерческое производство микросхем по 45-нанометровой производственной технологии планируется начать в 2007 году. Это укладывается в производственные платы Intel вводить новый техпроцесс каждые два года. Будут использоваться существующие 300-мм кремниевые пластины. Опытное производство по 45-нм техпроцессу развернуто на фабрике D1D в штате Орегон, коммерческое производство по этой технологии также будет развернуто Fab 32 в штате Аризона и Fab 28 в Израиле.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями