по 45-нанометровой производственной технологии с использованием 300-мм подложек в 2007 году, а также ее намерение следовать закону Мура, внедряя производственные процессы новых поколений каждые два года. Как ожидается, новая производственная технология поможет повысить производительность и эффективность энергопотребления будущих платформ Intel, улучшить соотношение производительности на ватт потребленной электроэнергии. Новая технология позволит выпускать микросхемы, где ток утечки снижен более чем в пять раз. Микросхема статической памяти, изготовленная по 45-нанометровой технологии, содержит более 1 миллиарда транзисторов. Пока что это устройство не является конечной продукцией.

Поделитесь материалом с коллегами и друзьями